G3R20MT12N, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 74А; SOT227B; винтами; 365Вт
![G3R20MT12N, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 74А; SOT227B; винтами; 365Вт](https://static.chipdip.ru/lib/436/DOC043436203.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
149 шт., срок 6 недель
12 760 руб.
от 3 шт. —
11 760 руб.
от 10 шт. —
10 940 руб.
1 шт.
на сумму 12 760 руб.
Плати частями
от 3 190 руб. × 4 платежа
от 3 190 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete semiconductors modules\Transistor modules MOSFET\Semiconductors
Технические параметры
Case | SOT227B |
Drain current | 74A |
Drain-source voltage | 1.2kV |
Electrical mounting | screw |
Gate-source voltage | -5…15V |
Kind of channel | enhanced |
Manufacturer | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Mechanical mounting | screw |
On-state resistance | 20mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 365W |
Pulsed drain current | 240A |
Semiconductor structure | single transistor |
Technology | G3R™, SiC |
Type of module | MOSFET transistor |
Вес, г | 35.4 |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.