S-LMBT5551LT1G, 160V 225mW 80@10mA,5V 600mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS

3100 шт., срок 6-8 недель
5 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт.4 руб.
от 2500 шт.3.20 руб.
от 3000 шт.2.67 руб.
50 шт. на сумму 250 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8009582246
Артикул: S-LMBT5551LT1G
Бренд: Leshan Radio Co

Описание

160V 225mW 80@10mA,5V 600mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Manufacturer LRC
Package / Case SOT-23
Packaging Tape и Reel(TR)
Collector Current (Ic) 600mA
Collector Cut-Off Current (Icbo) 50nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 160V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 200mV@50mA, 5mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 80@10mA, 5V
Operating Temperature -55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 225mW
Transistor Type NPN
Transition Frequency (fT) -

Техническая документация

Datasheet
pdf, 395 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.