S-LNB2306ELT1G, fet typeN-Channel Package/EnclosureSOT-23LC Rds OnMax@Id,Vgs80m@5A,4.5V Gate voltage Vgs20V Operating temperature-55~150
6465 шт., срок 6-8 недель
29 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 100 шт. —
22 руб.
от 1000 шт. —
16 руб.
от 1500 шт. —
13.01 руб.
7 шт.
на сумму 203 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
30V 4A 900mW 35mΩ@10V,6.7A 1.5V@250uA N Channel SOT-23LC MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 4A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 35mΩ@10V, 6.7A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 370pF@15V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 900mW |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 21pF@15V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 12nC@10V |
| Type | N Channel |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 450 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
