WNM4002-3/TR, Package/EnclosureSOT-523 fet typeN-Channel Operating temperature-55~150 Gate voltage Vgs20V Drain-source voltage Vds30V
300000 шт., срок 6-8 недель
5 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
3000 шт.
на сумму 15 000 руб.
Плати частями
от 3 750 руб. × 4 платежа
от 3 750 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
20V 300mA 2Ω@4.5V,350mA 250mW 1V@250uA N Channel SOT-523-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 100mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 8Ω@4V, 10mA |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@100uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 13pF@5V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 4pF@5V |
| Type | N Channel |
Техническая документация
Datasheet WNM4002-3/TR
pdf, 160 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
