BC849CW_R1_00001, 30V 250mW 420@2mA,5V 100mA NPN SOT-323-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
2350 шт., срок 6-8 недель
5 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
4 руб.
50 шт.
на сумму 250 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
30V 250mW 420@2mA,5V 100mA NPN SOT-323-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 100mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 15nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 30V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 600mV@5mA, 100mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 420@2mA, 5V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 250mW |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 100MHz |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.