YGW10N120T3, 10A 1.2kV TO-247 IGBTs ROHS
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
10 шт., срок 6-8 недель
320 руб.
Кратность заказа 5 шт.
5 шт.
на сумму 1 600 руб.
Плати частями
от 400 руб. × 4 платежа
от 400 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8011033524
Артикул: YGW10N120T3
Описание
10A 1.2kV TO-247 IGBTs ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 10A |
Collector Cut-Off Current (Ices@Vce) | - |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 1.2kV |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Vge) | - |
Diode Forward Voltage (Vf@If) | - |
Diode Reverse Recovery Time (Trr) | - |
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | - |
Input Capacitance (Cies@Vce) | - |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | - |
Pulsed Collector Current (Icm) | - |
Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) | - |
Turn?off Delay Time (Td(off)) | - |
Turn?off Switching Loss (Eoff) | - |
Turn?on Delay Time (Td(on)) | - |
Turn?on Switching Loss (Eon) | - |
Type | - |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 444 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.