SS8550W, SOT-323 Bipolar Transistors - BJT ROHS
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
36500 шт., срок 6-8 недель
4 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 2500 шт. —
2.80 руб.
от 3000 шт. —
2.34 руб.
50 шт.
на сумму 200 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
SOT-323 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 1.5A |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 25V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@800mA, 80mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@100mA, 1V |
Power Dissipation (Pd) | 200mW |
Transistor Type | PNP |
Transition Frequency (fT) | 100MHz |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 5661 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.