MMBTH10, SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
5600 шт., срок 6-8 недель
4 руб.
Мин. кол-во для заказа 100 шт.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
3 руб.
от 3000 шт. —
2.30 руб.
100 шт.
на сумму 400 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
25V 225mW 60@4mA,10V 50mA NPN SOT-23-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 50mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 25V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@4A, 400mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@4mA, 10V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 225mW |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 650MHz |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 700 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.