BC856BW, 65V 150mW 475@2mA,5V 100mA PNP SOT-323-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
6000 шт., срок 6-8 недель
4 руб.
Мин. кол-во для заказа 100 шт.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
3 руб.
от 3000 шт. —
2.30 руб.
от 6000 шт. —
1.98 руб.
100 шт.
на сумму 400 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
45V 150mW 220@2mA,5V 100mA PNP SOT-323-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 15nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 65V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 650mV@5mA, 100mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@2mA, 5V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 250mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 200MHz |
Техническая документация
CBI BC856BW
pdf, 1243 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
