HFGM100D12V1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 шт., срок 6 недель
13 550 руб.
от 3 шт. —
11 680 руб.
1 шт.
на сумму 13 550 руб.
Плати частями
от 3 389 руб. × 4 платежа
от 3 389 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete semiconductors modules\IGBT modules\Semiconductors
Технические параметры
| Application | for UPS, Inverter |
| Case | V1 |
| Collector current | 100A |
| Electrical mounting | FASTON connectors, screw |
| Gate-emitter voltage | ±30V |
| Manufacturer | HUAJING |
| Max. off-state voltage | 1.2kV |
| Mechanical mounting | screw |
| Pulsed collector current | 200A |
| Semiconductor structure | transistor/transistor |
| Technology | PT |
| Topology | IGBT half-bridge |
| Type of module | IGBT |
| Вес, г | 155.1 |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
