S-LMBT5551LT1G, 50nA 160V 225mW 80@10mA,5V 600mA 200mV@50mA,5mA NPN -55-~+150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
2840 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
9 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
6 руб.
от 600 шт. —
4.30 руб.
20 шт.
на сумму 180 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
160V 225mW 80@10mA,5V 600mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 600mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 50nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 160V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@50mA, 5mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 80@10mA, 5V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 225mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | - |
| Manufacturer | LRC |
| Package / Case | SOT-23 |
| Packaging | Tape и Reel(TR) |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 395 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
