LMUN2212LT1G, 1 NPN - Pre Biased 246mW 100mA 50V SOT-23 Digital Transistors
1650 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
7 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
4 руб.
50 шт.
на сумму 350 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
1 NPN - Pre Biased 246mW 100mA 50V SOT-23 Digital Transistors ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Power Dissipation (Pd) | 246mW |
| Transistor Type | 1 NPN-Pre Biased |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
| Maximum DC Collector Current | 100mA |
| Pd - Power Dissipation | 246mW |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet LMUN2212LT1G
pdf, 634 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
