LP2305DSLT1G, 12V 4A 68m-@4.5V,3.5A 1.1W 800mV@250uA P Channel SOT-23E MOSFETs

11320 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
15 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт.8 руб.
от 600 шт.6.90 руб.
от 3000 шт.5.76 руб.
20 шт. на сумму 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015775568
Артикул: LP2305DSLT1G
Бренд: Leshan Radio Co

Описание

12V 4A 68mΩ@4.5V,3.5A 1.1W 800mV@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) 4A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 68mΩ@4.5V, 3.5A
Drain Source Voltage (Vdss) 12V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 800mV@250uA
Power Dissipation (Pd) 1.1W
Type P Channel
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C 4A
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) 1.1W
Rds On - Drain-Source Resistance 68mΩ 3.5A, 4.5V
Transistor Polarity P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 12V
Vgs - Gate-Source Voltage 800mV 250uA
Вес, г 0.04

Техническая документация

Datasheet LP2305DSLT1G
pdf, 497 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.