2SB798, 100nA 25V 1W 135@100mA,1V 1A 200MHz 500mV@800mA,80mA PNP +150°C@(Tj) SOT-89-3 BIpolar TransIstors - BJT
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
890 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
14 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
9 руб.
от 300 шт. —
7 руб.
10 шт.
на сумму 140 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
25V 1W 135@100mA,1V 1A PNP SOT-89-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 1A |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 25V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@800mA, 80mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 135@100mA, 1V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 1W |
Transistor Type | PNP |
Transition Frequency (fT) | 200MHz |
Вес, г | 21 |
Техническая документация
Datasheet 2SB798
pdf, 835 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.