SS8550W, SOT-323 Bipolar Transistors - BJT
36540 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
8 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
5 руб.
от 600 шт. —
3.80 руб.
от 3000 шт. —
3.10 руб.
20 шт.
на сумму 160 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
SOT-323 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 1.5A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 25V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@800mA, 80mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@100mA, 1V |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 5661 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
