MMDT5551, 50nA 160V 200mW 100@10mA,5V 600mA 100MHz 200mV@50mA,5mA 2 NPN +150-@(Tj) SOT-363 Bipolar Transistors - BJT
10720 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
14 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
8 руб.
от 600 шт. —
6.90 руб.
от 3000 шт. —
5.38 руб.
20 шт.
на сумму 280 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 200mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 50nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 160V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@50mA, 5mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@10mA, 5V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transistor Type | 2 NPN |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1464 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
