UMZ1N, 100nA 50V 200mW 120@1mA,6V 150mA 1 NPN,1 PNP +150-@(Tj) SOT-363 Bipolar Transistors - BJT
880 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
15 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
9 руб.
от 600 шт. —
7.20 руб.
20 шт.
на сумму 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
50V 150mW 120@1mA,6V 150mA NPN+PNP SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 150mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@5mA, 50mA;500mV@5mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@1mA, 6V |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Transistor Type | NPN+PNP |
| Transition Frequency (fT) | 180MHz;140MHz |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 529 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
