PJ2301_R1_00001, 20V 3.1A 1.25W 100m-@4.5V,3.1A 1.2V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
5355 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
34 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
21 руб.
от 150 шт. —
17 руб.
от 500 шт. —
14.48 руб.
5 шт.
на сумму 170 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
20V 3.1A 1.25W 100mΩ@4.5V,3.1A 1.2V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 3.1A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 100mΩ@4.5V, 3.1A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 416pF@10V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 1.25W |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 5.4nC@4.5V |
Type | P Channel |
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 3.1A |
Manufacturer | PANJIT International |
Package / Case | SOT-23 |
Packaging | Tape и Reel(TR) |
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 1.25W |
Rds On - Drain-Source Resistance | 100mΩ 3.1A, 4.5V |
Transistor Polarity | P Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 1.2V 250uA |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 379 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.