NCE30P50G, 30V 50A 7m-@10V,10A 35W 2.2V@250uA P Channel PDFN-8(5.8x4.9) MOSFETs
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
311 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
200 руб.
от 10 шт. —
130 руб.
от 30 шт. —
109 руб.
от 100 шт. —
96.69 руб.
1 шт.
на сумму 200 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
30V 50A 7mΩ@10V,10A 35W 2.2V@250uA P Channel PDFN-8(5.8x4.9) MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 50A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 7mΩ@10V, 10A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.2V@250uA |
Power Dissipation (Pd) | 35W |
Type | P Channel |
Вес, г | 0.16 |
Техническая документация
Datasheet NCE30P50G
pdf, 348 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.