MMBT3906, 100nA 40V 200mW 200mA 300MHz 300mV@50mA,5mA PNP -55-~+150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT

8700 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
4 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт.3 руб.
от 3000 шт.1.80 руб.
от 6000 шт.1.56 руб.
50 шт. на сумму 200 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8015857594
Артикул: MMBT3906

Описание

40V 300mW 200mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 200mA
Collector Cut-Off Current (Icbo) 50nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 40V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 400mV@50mA, 5mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 100@10mA, 1V
Operating Temperature -55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 300mW
Transistor Type PNP
Transition Frequency (fT) 250MHz
Вес, г 0.04

Техническая документация

Datasheet
pdf, 817 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.