NCE82H110D, TO-263-2 MOSFETs
43 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
410 руб.
от 10 шт. —
280 руб.
от 30 шт. —
242 руб.
1 шт.
на сумму 410 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
TO-263-2 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | - |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | - |
| Drain Source Voltage (Vdss) | - |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | - |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Power Dissipation (Pd) | - |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Type | - |
| Вес, г | 2.19 |
Техническая документация
Datasheet NCE82H110D
pdf, 369 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
