NCEP40T11G, 40V 110A 2.8m-@10V,55A 75W 2.2V@250uA N Channel DFN-8(5.7x5.1) MOSFETs

8900 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
140 руб.
от 10 шт.87 руб.
от 30 шт.76 руб.
от 100 шт.67.27 руб.
1 шт. на сумму 140 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8015866909
Артикул: NCEP40T11G

Описание

40V 110A 2.8mΩ@10V,55A 75W 2.2V@250uA N Channel DFN-8(5.7x5.1) MOSFETs ROHS

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) 110A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 2.8mΩ@10V, 55A
Drain Source Voltage (Vdss) 40V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 2.2V@250uA
Power Dissipation (Pd) 75W
Type N Channel
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C 110A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) 75W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance 2.8mΩ 55A, 10V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 40V
Vgs - Gate-Source Voltage 2.2V 250uA
Вес, г 0.17

Техническая документация

Datasheet NCEP40T11G
pdf, 375 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.