BC847BW-AU_R1_000A1, SOT-323-3 Bipolar Transistors - BJT
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
480 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
9 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
6 руб.
20 шт.
на сумму 180 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
45V 250mW 200@2mA,5V 100mA NPN SOT-323-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 100mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 15nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 45V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 600mV@5mA, 100mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@2mA, 5V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 250mW |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1070 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.