NCE82H110, TO-220 MOSFETs
1 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
210 руб.
1 шт.
на сумму 210 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
TO-220 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | - |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | - |
| Drain Source Voltage (Vdss) | - |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | - |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Power Dissipation (Pd) | - |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Type | - |
| Вес, г | 2.72 |
Техническая документация
Datasheet NCE82H110
pdf, 328 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
