SGM40HF12A1TFD, 611ns -40-~+150-@(Tj) 425ns 40A 1.2kV IGBT Modules 5.5V@250uA 413nC@40A,±15V 2.6V@20A,15V 2.2mJ 9.3mJ 1mA@1.2kV 6.58nF@25V 2
1 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
4 140 руб.
1 шт.
на сумму 4 140 руб.
Плати частями
от 1 035 руб. × 4 платежа
от 1 035 руб. × 4 платежа
Описание
40A 1.2kV IGBT Modules - IGBTs ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 40A |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 1.2kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Vge) | 2.6V@20A, 15V |
| Diode Forward Voltage (Vf@If) | 2.6V@40A |
| Diode Reverse Recovery Time (Trr) | 117ns |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 5.5V@250uA |
| Input Capacitance (Cies@Vce) | 6.58nF@25V |
| Operating Temperature | -40℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) | 413nC@40A, ±15V |
| Turn?off Delay Time (Td(off)) | 611ns |
| Turn?off Switching Loss (Eoff) | 2.2mJ |
| Turn?on Delay Time (Td(on)) | 425ns |
| Turn?on Switching Loss (Eon) | 9.3mJ |
| Type | IGBT Modules |
| Вес, г | 185.9 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 244 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
