JMTQ35N06A, 60V 35A 41W 12m-@10V,30A 1.6V@250uA 124pF@25V N Channel 2900pF@25V 50nC@10V -55-~+150-@(Tj) PDFN-8L(3.3x3.3) MOSFETs
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
2055 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
63 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
40 руб.
от 150 шт. —
34 руб.
от 500 шт. —
27.75 руб.
5 шт.
на сумму 315 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
60V 35A 41W 12mΩ@10V,30A 1.6V@250uA N Channel PDFN-8L(3.3x3.3) MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 35A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 12mΩ@10V, 30A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.6V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.9nF@25V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 41W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 124pF@25V |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 50nC@10V |
Type | N Channel |
Вес, г | 0.12 |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.