NCE65T1K2F, 650V 4A 1.1-@10V,2A 28.4W 4V@250uA N Channel TO-220F-3 MOSFETs
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
880 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
190 руб.
от 10 шт. —
120 руб.
от 30 шт. —
99 руб.
от 100 шт. —
83.72 руб.
1 шт.
на сумму 190 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
650V 4A 1.1Ω@10V,2A 28.4W 4V@250uA N Channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 4A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 1.1Ω@10V, 2A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
Power Dissipation (Pd) | 28.4W |
Type | N Channel |
Вес, г | 2.89 |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.