NCE3035Q, МОП-Транзистор 30 В 35 А 35 Вт 7 м-@10 В, 12 А 3 В @ 250мкА N-канальные МОП-Транзистор DFN-8(3x3)
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
5006 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
80 руб.
от 10 шт. —
54 руб.
от 30 шт. —
43 руб.
от 100 шт. —
33.42 руб.
1 шт.
на сумму 80 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
30V 35A 35W 7mΩ@10V,12A 3V@250uA N Channel DFN-8(3x3) MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 35A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 7mΩ@10V, 12A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
Power Dissipation (Pd) | 35W |
Type | N Channel |
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 35A(Tc) |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 35W(Tc) |
Rds On - Drain-Source Resistance | 7mО© @ 12A,10V |
Transistor Polarity | N Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 3V @ 250uA |
Вес, г | 0.11 |
Техническая документация
Datasheet NCE3035Q
pdf, 327 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.