F12N65, ITO-220AB-3 MOSFETs
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
277 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
160 руб.
от 10 шт. —
98 руб.
от 50 шт. —
78 руб.
от 100 шт. —
63.36 руб.
1 шт.
на сумму 160 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
650V 12A 4V ITO-220AB-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 12A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 380mΩ@6A, 10V |
Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.224nF@100V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 33W |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 70nC@10V |
Type | null |
Вес, г | 1.59 |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.