MMBT3904DW, 40V 200mW 300@10mA,1V 200mA 2 NPN SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS
6000 шт., срок 6-8 недель
6 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
5 руб.
от 2500 шт. —
3.90 руб.
от 3000 шт. —
3.45 руб.
50 шт.
на сумму 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
40V 200mW 300@10mA,1V 200mA NPN SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 200mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 50nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@10mA, 1mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 300@10mA, 1V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
Power Dissipation (Pd) | 200mW |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 300MHz |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.