MMDT5551, 160V 200mW 250@10mA,5V 200mA 2 NPN SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS
6000 шт., срок 6-8 недель
8 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
6 руб.
от 2500 шт. —
5.20 руб.
от 3000 шт. —
4.62 руб.
50 шт.
на сумму 400 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 200mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 50nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 160V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@50mA, 5mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@10mA, 5V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
