MMBT5401DW, 160V 300mW 300@10mA,5V 600mA PNP SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
6000 шт., срок 6-8 недель
8 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
6 руб.
от 2500 шт. —
5.10 руб.
от 3000 шт. —
4.51 руб.
50 шт.
на сумму 400 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
160V 300mW 300@10mA,5V 600mA PNP SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 600mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 160V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@10mA, 1mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 300@10mA, 5V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
Power Dissipation (Pd) | 300mW |
Transistor Type | PNP |
Transition Frequency (fT) | 200MHz |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.