IXFN44N100Q3, Модуль, одиночный транзистор, 1кВ, 38А, SOT227B, Ugs: ±40В, винтами
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 600 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 8 600 руб.
Плати частями
от 2 150 руб. × 4 платежа
от 2 150 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Модуль, одиночный транзистор, 1кВ, 38А, SOT227B, Ugs: ±40В, винтами Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | модуль |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 38A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 220mΩ@10V, 22A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 1kV |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 6.5V@8mA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 13.6nF@25V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 960W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 264nC@10V |
| Type | N Channel |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 38 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 220 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 1000 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 6.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 960 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-227 |
| Pin Count | 4 |
| Series | HiperFET, Q3-Class |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 264 nC @ 10 V |
| Width | 25.07mm |
| Вес, г | 44.56 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IXFN44N100Q3
pdf, 122 КБ
