IXTN200N10L2, Модуль, одиночный транзистор, 100В, 178А, SOT227B, Ugs: ±30В
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 780 руб.
1 шт.
на сумму 6 780 руб.
Плати частями
от 1 695 руб. × 4 платежа
от 1 695 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Модуль, одиночный транзистор, 100В, 178А, SOT227B, Ugs: ±30В Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | модуль |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.4V |
| Maximum Continuous Drain Current | 178 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 11 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 830 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-227 |
| Pin Count | 4 |
| Series | Linear L2 |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 540 nC @ 10 V |
| Width | 25.07mm |
| Вес, г | 37 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IXTN200N10L2
pdf, 170 КБ
