IXTQ26P20P, Транзистор: P-MOSFET, PolarP™, полевой, -200В, -26А, 300Вт, ТО3Р
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 830 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 830 руб.
Плати частями
от 459 руб. × 4 платежа
от 459 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Транзистор: P-MOSFET, PolarP™, полевой, -200В, -26А, 300Вт, ТО3Р Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 26 A |
| Pd - рассеивание мощности | 300 W |
| Qg - заряд затвора | 56 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 170 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 33 ns |
| Время спада | 21 ns |
| Длина | 15.8 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Серия | IXTQ26P20 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 46 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18 ns |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-3P-3 |
| Ширина | 4.9 mm |
| Вес, г | 5.14 |
