2N7002,215, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 60В; 0,19А;
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
276520 шт., срок 4 недели
7 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
4 руб.
от 600 шт. —
3.30 руб.
от 3000 шт. —
2.75 руб.
20 шт.
на сумму 140 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 60В; 0,19А; Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Continuous Drain Current | 300 mA |
| Package Type | SOT-23 (TO-236AB) |
| Maximum Power Dissipation | 830 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Width | 1.4mm |
| Height | 1mm |
| Dimensions | 3 x 1.4 x 1mm |
| Transistor Material | Si |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Length | 3mm |
| Transistor Configuration | Single |
| Brand | Nexperia |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 5 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Pin Count | 3 |
| Category | Power MOSFET |
| Channel Mode | Enhancement |
| Typical Input Capacitance @ Vds | 31 pF@ 10 V |
| Channel Type | N |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 300mA |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 830mW |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 5О© @ 500mA,10V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2.5V @ 250uA |
| Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 153 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet 2N7002,215
pdf, 109 КБ
Datasheet 2N7002
pdf, 647 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
