FQP55N10, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

590 руб.

от 10 шт. — 430 руб.

от 50 шт. — 359 руб.

от 100 шт. — 333.37 руб.

1 шт. на сумму 590 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8017549305

Артикул: FQP55N10

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.021Ом
Power Dissipation	155Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	QFET
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	100В
Непрерывный Ток Стока	55А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	4В
Рассеиваемая Мощность	155Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.021Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-220
Вес, г	2

pdf, 773 КБ

Мы рекомендуем