DMTH4004LK3-13
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 100 шт. —
92 руб.
от 500 шт. —
81.28 руб.
4 шт.
на сумму 440 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Полевые МОП-транзисторы DMTx
Diodes Incorporated МОП-транзисторы DMTx представляют собой N-канальные полевые МОП-транзисторы с низким сопротивлением в открытом состоянии и быстрым переключением. Эти полевые МОП-транзисторы также разработаны с учетом строгих требований автомобильных приложений. Diodes Incorporated DMTx MOSFET идеально подходят для высокоэффективных приложений управления питанием.
Diodes Incorporated МОП-транзисторы DMTx представляют собой N-канальные полевые МОП-транзисторы с низким сопротивлением в открытом состоянии и быстрым переключением. Эти полевые МОП-транзисторы также разработаны с учетом строгих требований автомобильных приложений. Diodes Incorporated DMTx MOSFET идеально подходят для высокоэффективных приложений управления питанием.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 180 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 83 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3 mOhms |
| Series: | DMTH4004 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 100A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 3mΩ@10V, 50A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 4.45nF@25V |
| Power Dissipation (Pd) | 3.9W;180W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 83nC@10V |
| Type | 1PCSNChannel |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 450 КБ
