BCP52TA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
29 руб.
Мин. кол-во для заказа 15 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
24 руб.
15 шт.
на сумму 435 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 2000 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.65 mm |
| Длина | 6.7 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 at 5 mA, 2 V, 40 at 150 mA, 2 V, 25 at 500 m |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 40 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 125 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | BCP52 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Ширина | 3.7 mm |
| Collector Current (Ic) | 1A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 60V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@50mA, 500mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 40@150mA, 2V |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 125MHz |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 347 КБ
