FCP125N60E
![FCP125N60E](https://static.chipdip.ru/lib/515/DOC006515026.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
900 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 900 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
МОП-транзистор 600V 29A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 29 A |
Pd - рассеивание мощности | 278 W |
Qg - заряд затвора | 75 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 125 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 20 ns |
Время спада | 23 ns |
Высота | 16.3 mm |
Длина | 10.67 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | SuperFET II |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 25 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 800 |
Серия | FCP125N60E |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 106 ns |
Типичное время задержки при включении | 23 ns |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.7 mm |
Техническая документация
Datasheet FCP125N60E
pdf, 814 КБ