BD442G
![Фото 1/4 BD442G](https://static.chipdip.ru/lib/859/DOC043859251.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/434/DOC004434942.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/278/DOC005278360.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/561/DOC006561712.jpg)
200 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
170 руб.
от 30 шт. —
140 руб.
от 100 шт. —
119.41 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 400 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Транзистор PNP, биполярный, 80В, 4А, 36Вт, TO225 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | PNP |
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 36 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 11.04 mm |
Длина | 7.74 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 15 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.8 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 4 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz |
Размер фабричной упаковки | 500 |
Серия | BD442 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка | Bulk |
Упаковка / блок | TO-225-3 |
Ширина | 2.66 mm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 78 КБ