FQP4N90C
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
350 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
290 руб.
от 50 шт. —
248 руб.
от 100 шт. —
210.13 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 700 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 900В, 2,3А, 140Вт, TO220, QFET® Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 50 |
| Fall Time | 35 ns |
| Forward Transconductance - Min | 5 S |
| Height | 16.3 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 4 A |
| Length | 10.67 mm |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 140 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 4.2 Ohms |
| Rise Time | 50 ns |
| RoHS | Details |
| Series | FQP4N90C |
| Technology | Si |
| Tradename | QFET |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 40 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 25 ns |
| Unit Weight | 0.063493 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 900 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Width | 4.7 mm |
