FDMA8878
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
280 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
230 руб.
от 30 шт. —
191 руб.
от 100 шт. —
157.82 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 560 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Решения для управления питанием в облаке
Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Quad Drain |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Lead Shape | No Lead |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 9 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 16 10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2400 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 6 |
| Pin Count | 6 |
| PPAP | No |
| Process Technology | TMOS |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | DFN |
| Supplier Package | WDFN EP |
| Typical Fall Time (ns) | 2 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 8.5 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 8.5 10V|4.1 4.5V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 539 15V |
| Typical Rise Time (ns) | 2 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 14 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 6 |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Id - Continuous Drain Current: | 9 A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | MicroFET-6 |
| Pd - Power Dissipation: | 2.4 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 12 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 16 mOhms |
| Series: | FDMA8878 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | PowerTrench |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
