BC807-25-7-F
![Фото 1/3 BC807-25-7-F](https://static.chipdip.ru/lib/883/DOC027883047.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/769/DOC016769276.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/472/DOC018472444.jpg)
5 руб.
Мин. кол-во для заказа 76 шт.
от 100 шт. —
4 руб.
от 500 шт. —
3.61 руб.
76 шт.
на сумму 380 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 45 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 700 mV |
Configuration: | Single |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum DC Collector Current: | 500 mA |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -65 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | SOT-23-3 |
Pd - Power Dissipation: | 310 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | BC807 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | PNP |
Maximum Collector Emitter Voltage | -45 V |
Maximum DC Collector Current | -500 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 310 mW |
Minimum DC Current Gain | 160 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | PNP |