AFGHL50T65SQDC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 510 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 510 руб.
Плати частями
от 879 руб. × 4 платежа
от 879 руб. × 4 платежа
Описание
Using novel field stop IGBT and SiC SBD technology, ON semiconductor's new series of hybrid IGBTs offer the optimum performance for hard switching application.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum DC Collector Current | 100 A |
| Maximum Operating Frequency | 1 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 238 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 310 КБ
