BC857CT-7-F

Фото 1/3 BC857CT-7-F
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
7 руб.
Мин. кол-во для заказа 60 шт.
от 100 шт.5.50 руб.
от 500 шт.4.87 руб.
60 шт. на сумму 420 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8022692052
Бренд: DIODES INC.

Технические параметры

Maximum Collector Base Voltage -50 V
Maximum Collector Emitter Voltage 45 V
Maximum DC Collector Current 100 mA
Maximum Emitter Base Voltage -5 V
Maximum Operating Temperature +150 C
Maximum Power Dissipation 150 mW
Minimum DC Current Gain 420
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-523(SC-89)
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Type PNP
Brand: Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO: 50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 650 mV
Configuration: Single
DC Collector/Base Gain hfe Min: 420 at-2 mA, -5 V
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Gain Bandwidth Product fT: 100 MHz
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current: 100 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SOT-523-3
Pd - Power Dissipation: 150 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: BC857C
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: PNP

Техническая документация

Datasheet
pdf, 404 КБ
Datasheet
pdf, 103 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ