BCP55TA

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

30 руб.

Мин. кол-во для заказа 15 шт.

Кратность заказа 5 шт.

от 50 шт. — 26 руб.

от 150 шт. — 23 руб.

15 шт. на сумму 450 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8022692927

Бренд: DIODES INC.

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 60В, 1А, 2Вт, SOT223 Характеристики

Pd - рассеивание мощности	2000 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	40
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	250
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	500 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	150 MHz
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	BCP55
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-223-4

pdf, 375 КБ