BSS123TA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
19 руб.
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
15 руб.
от 150 шт. —
13 руб.
от 500 шт. —
10.76 руб.
20 шт.
на сумму 380 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Полевые МОП-транзисторы
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 170 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 10 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Width | 1.4mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 10 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 170 mA |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 360 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6 Ohms |
| Rise Time: | 10 ns |
| Series: | BSS123 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | FET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
