DMN65D9L-7
![DMN65D9L-7](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514323.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
12 руб.
Мин. кол-во для заказа 40 шт.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
10 руб.
40 шт.
на сумму 480 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R 3K
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 335 mA |
Pd - рассеивание мощности | 270 mW |
Qg - заряд затвора | 400 fC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 16 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 3.6 ns |
Время спада | 22 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 102 ns |
Типичное время задержки при включении | 3.7 ns |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |