FDG6332C-F085
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 060 руб.
от 10 шт. —
890 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 060 руб.
Плати частями
от 265 руб. × 4 платежа
от 265 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Транзистор N/P-MOSFET, полевой, 20/-20В, 0,7/0,6А, 0,3Вт, SC70-6 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 700mA;600mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 300mΩ@700mA, 4.5V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 113pF@10V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 300mW |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 1.5nC@4.5V |
| Type | - |
Техническая документация
onsemi FDG6332C-F085
pdf, 278 КБ
